Samsung приступила к массовому выпуску 512 Гб памяти для смартфонов
Закон Мура, обещающий удвоение числа транзисторов на кристалле каждые два года, последние годы буксует в отрасли процессоров, но зато вполне применим к мобильной флеш-памяти. В феврале 2015 Samsung анонсировала массовое производство накопителей объемом 128 Гб, ровно год спустя — 256 Гб, а сегодня отрапортовала о том, что приступила к массовому выпуску накопителей eUFS (embedded Universal Flash Storage) емкостью 512 Гб.
Даже не каждый современный ПК имеет столько памяти, но по мере широкого распространения смартфонов с камерой, умеющей снимать 4K-видео, как никогда актуальна истина, что памяти много не бывает. Компания заявляет, что нового накопителя хватит более чем на 20 часов видео с разрешением 3840×2160 (сто тридцать 10-минутных клипов). Нелишним будет заметить, что вышедшая на днях в App Store и ожидаемая в следующем году в Google Play игра GRID Autosport требует 8 Гб — по мере приближения мобильных игр к уровню десктопных консолей предыдущего поколения будет расти и их объем.
К какому поколению относится eUFS не сообщается, но по сравнению с 256 Гб UFS 2.0 её скоростные характеристики не изменились:
- скорость последовательного чтения/записи — 860 / 255 Мб/с (было 850 / 260 Мб/с)
- скорость случайного чтения записи — 45,000 / 40,000 IOPS, что соответствует 54 / 9 Мб/с (было столько же).
Физические размеры 512 Гб накопителя по сравнению с 256 Гб не изменились — несмотря на то, что количество слоев увеличилось с 48 до 64, а число ячеек удвоилось. Последнее обстоятельство привело к неизбежному росту энергопотребления, но Samsung заверяет, что благодаря применению в контроллере новой технологии управления питанием этот рост минимизирован.
Не исключено, что первым емкость в пол-терабайта получит Galaxy S9.
Samsung
—